Samsung presenta zHBM e V10 BV-NAND, le memorie superveloci per l’intelligenza artificiale

Al Future of Memory and Storage 2026 di Santa Clara, Samsung ha portato sul palco l’intera gamma delle sue tecnologie di memoria e storage pensate per l’intelligenza artificiale. Tra gli annunci più rilevanti c’è Samsung zHBM, una soluzione proprietaria che promette prestazioni fino a otto volte superiori rispetto allo standard HBM5, pensata per essere impilata direttamente sopra gli acceleratori AI invece di restare separata sulla scheda. Accanto a zHBM, Samsung ha presentato anche il nuovo flash V10 e una memoria RAM capace di elaborare i dati al proprio interno.

L’azienda coreana ha aperto l’evento con un keynote intitolato Driving the Wave of AI Revolution, tenuto da Jin-Yub Lee, a capo della divisione Flash Product & Technology, e da Kyungryun Kim, responsabile del team di progettazione DRAM. Il filo conduttore dell’intervento è stato lo stesso che accomuna tutti i prodotti mostrati allo stand: ridurre la distanza fisica tra memoria e processore per guadagnare velocità e risparmiare energia.

V10 BV-NAND: il flash da oltre 400 layer

Tredici anni dopo aver introdotto la prima generazione di V-NAND, Samsung è la prima a presentare la versione 10 della sua tecnologia BV-NAND, sigla che sta per Bonded V-NAND. Si tratta di una memoria flash che supera i 400 layer impilati grazie a una tecnica di bonding avanzata, lo stesso approccio che l’azienda utilizza anche per legare tra loro i wafer di silicio in altri prodotti.

Rispetto alla generazione precedente V9, il nuovo V10 aumenta la densità di memoria di circa il 58%. Il maggior numero di layer si traduce in migliori prestazioni di lettura, scrittura e I/O, oltre a un consumo energetico più contenuto. È una crescita significativa per uno storage flash che negli ultimi anni ha dovuto fare i conti con i limiti fisici dell’impilamento verticale tradizionale.

Samsung zHBM: la memoria per gli acceleratori AI

Samsung ha già iniziato a spedire ai clienti campioni di HBM4E e ha mostrato al FMS anche HBM5, il prossimo standard industriale per la memoria ad alta banda. Ma la vera novità è zHBM, una soluzione proprietaria che secondo l’azienda garantisce circa otto volte le prestazioni di HBM5, dieci volte la sua densità e una efficienza energetica tripla.

La differenza sostanziale sta nel posizionamento: invece di stare accanto all’acceleratore AI sulla scheda, come avviene oggi con le pile HBM tradizionali, zHBM viene impilata direttamente sopra il chip. Questo accorcia il percorso che i segnali dati devono percorrere, ed è proprio questa vicinanza fisica a spiegare il salto di velocità e il minor consumo. È un approccio che si inserisce nella corsa più ampia dell’industria a costruire hardware sempre più efficiente per i data center AI, la stessa logica che guida anche i rack AI rack-scale che aziende come AMD stanno portando in produzione per competere con Nvidia.

zNAND-O e LPDDR5X-PIM completano la gamma

Samsung ha inoltre mostrato zNAND-O, una memoria flash di nuova generazione basata sulla tecnologia V-NAND ma sviluppata in versioni da 4 e 8 layer. Promette elevata efficienza di spazio, I/O migliorato e latenza più bassa rispetto allo storage NAND tradizionale. A differenza di zHBM, pensata per l’addestramento e l’inferenza AI nel cloud, zNAND-O guarda all’edge AI, cioè all’elaborazione più vicina all’utente finale.

Chiude il quadro LPDDR5X-PIM, la prima RAM LPDDR del settore con capacità di Processing-In-Memory. In pratica una parte dell’elaborazione dei dati avviene direttamente nella memoria, prima ancora che i risultati vengano inviati al processore. Il vantaggio è duplice: più banda disponibile e minori consumi, un tema che negli ultimi mesi è diventato centrale anche per il mercato consumer, dove la scarsità di componenti di memoria ha già iniziato a farsi sentire sui listini degli smartphone.

• V10 BV-NAND: oltre 400 layer, densità +58% rispetto a V9
• zHBM: fino a 8 volte le prestazioni di HBM5, 10 volte la densità, efficienza tripla
• zNAND-O: versioni da 4 e 8 layer pensate per l’edge AI
• LPDDR5X-PIM: prima RAM LPDDR con elaborazione integrata

Nessuna di queste tecnologie ha ancora una data di commercializzazione ufficiale. Samsung le ha presentate come dimostrazioni delle proprie capacità ingegneristiche, in un momento in cui la domanda di memoria per l’intelligenza artificiale sta ridisegnando le priorità dell’intero settore dei semiconduttori.

The Clipboard

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